摘要：针对氮化镓（CAN）功率器件的研制，采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构，分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1．1V、击穿电压350V以上、输出电流10A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基于栅区域势垒层减薄技术，开发了GaN增强型／耗尽型（E／D）集成技术，并展示了采用E／D集成技术研制的5l级GaN环形振荡器验证电路，集成了106只晶体管，级延时仅24．3ps。

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