摘要：绝缘栅氮化镓（GaN）基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体（氧化物）半导体（MIS／MOS）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手，介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程，高可靠栅介质及兼容互补MOS（CMOS）工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展。为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。

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