摘要：氮化镓（GaN）功率电子器件具有优异的电学特性，在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景，满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求。P型栅和Cascode结构的常关型GaN器件已逐步实现产业化，但鉴于这两种器件结构本身存在的缺点，常关型GaNMOSFET器件方案备受关注。目前，GaN功率开关器件主要朝高频化发展，封装形式从直插型（T0）封装向贴片式（QFN）封装演变，为进一步消除寄生效应对器件高速开关特性造成的不良影响，驱动和功率器件集成的GaN功率集成电路（IC）技术被采用，单片集成的全GaN功率IC是未来的发展方向。

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