摘要:针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiCMOSFET寄生参数分阶段研究串扰过程,分析关键参数对串扰电压尖峰的影响,从而提出降低串扰尖峰的若干思路。为抑制串扰现象,采用无源抑制方法进行驱动设计,该驱动设计简单可靠,具有较高工程应用价值。最后,进行驱动对比实验,采用所提驱动设计对串扰的抑制效果显著,正、负向串扰电压尖峰比基本驱动电路分别降低73%和70%。
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