摘要：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）过短的短路承受时间增大了短路保护的难度，传统退饱和法较长的检测时间容易对SiCMOSFET造成严重冲击。印制电路板（PCB）罗氏线圈高带宽交变电流检测及反应灵敏的特性。使其适用于功率器件短路的快速检测。在SiCMOSFET发生短路时，利用PCB罗氏线圈配合复合式积分电路提取瞬态变化电流，进行反馈控制，有效缩短短路保护的延迟时间。通过软关断，减小关断过程中过高的电流变化率导致的过压对SiCMOSFET造成过大的冲击。实验结果表明，采用PCB罗氏线圈电流检测法能在短路发生第一时间迅速可靠地关断SiCMOSFET，实现短路保护。

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