摘要：碳化硅（SiC）作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性，是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料。近年来，国内外在SiC单晶衬底制备方面取得了重大进展。对SiC单晶衬底材料的最新发展进行回顾，包括SiC单晶生长技术、直径扩大、缺陷控制等，对SiC单晶材料的发展趋势进行了展望。随着高质量大尺寸SiC衬底材料的迅速发展，大大降低了SiC器件的制造成本，为SiC功率器件的发展提供了坚实基础。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社