首页 期刊 电力电子技术 中高压SiCIGBT智能栅极驱动研究及应用 【正文】

中高压SiCIGBT智能栅极驱动研究及应用

作者:马永兵; 欧阳文军 南京信息职业技术学院; 江苏南京210023; 武汉华辰智算信息技术研究院; 湖北武汉430072
绝缘栅双极型晶体管   栅极驱动   开关损耗  

摘要:提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能。采用15kV中压SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示所提电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势。

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