摘要：以实际碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件为对象，首先测试了不同温度下的转移和输出特性，获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律，接着基于所得到的温度特性实验结果，建立了SiCMOSFET静态等效电路模型，最后对该模型进行了验证。结果表明，温度对SiCMOSFET静态特性及参数的影响较为明显。所建立的等效电路模型能正确反映SiCMOSFET的静态特性。

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