摘要：三相电压源型桥式脉宽调制（PWM）整流器由于其交流侧功率因数高、谐波含量少等优点。广泛应用于各种工业、航空航天等场合。近年来出现的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率器件具有阻断电压高、导通电压低、开关损耗低、耐高温工作等特点，对整流器效率的提升及实现高功率密度均有重要意义。将SiCMOSFET应用于三相桥式PWM整流器，研究了整流器高频和低频数学模型．并针对高频下数字控制处理时间长的影响，对程序中的空间矢量脉宽调制（SVPWM）算法进行分析简化。最后设计了5kW三相桥式PWM整流器原理样机，通过仿真与实验验证了控制算法的合理性。

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