摘要：绝缘栅双极晶体管（IGBT）是当今最具创新性的功率器件，是目前为止唯一将MOSFET和双极结型晶体管结合在单元胞中的器件。由于MOSFET和双极结型晶体管对开关控制和导通状态都有影响，因此为了优化器件性能及安全工作区，对二者的工作状态需要仔细地折中考虑。文章阐述了IGBT技术的发展历史、器件结构及发展前景，涉及IGBT的基本概念及技术挑战，讨论了促使IGBT更新换代的主要技术进程，最后介绍了一些IGBT新型器件结构及新兴技术。

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