摘要：直流断路器是高压直流输电系统换流站的主要电气设备之一。作为直流断路器中关键部件，压接型IGBT（insulated gate bipolar transistor）的电学性能及可靠性尤为重要。基于直流断路器的特性需求，开发出一款具有高关断能力的3300V压接式IGBT芯片。该芯片具有良好的开关特性、短路特性及坚固性，可通过8倍额定电流关断测试，且与自主研制的FRD芯片有良好的匹配性；基于此芯片研制的高关断压接型IGBT模块已通过仿工况关断能力测试。

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