首页 期刊 大功率变流技术 大功率IGBT器件并联均流研究 【正文】

大功率IGBT器件并联均流研究

作者:余伟; 罗海辉; 邓江辉; 周望君; 江普生; 吴煜东 新型功率半导体器件国家重点实验室; 湖南株洲412001; 株洲中车时代电气股份有限公司; 湖南株洲412001
igbt并联   并联均流   igbt芯片参数   寄生参数  

摘要:为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文章分析了寄生电感对器件均流的影响,并通过理论推导分析了芯片参数对静态均流的影响,最后通过仿真和实验验证了芯片参数对动态均流的影响。结果表明,主回路寄生参数的不对称对均流的影响大于芯片参数差异的,而两者对开通均流的影响又都大于对关断均流的影响。

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