大功率变流技术杂志 部级期刊
High Power Converter Technology
杂志简介：《大功率变流技术》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为43-1486/U，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述与评论、变流技术、电机与电器、材料与器件、应用与节能、绿色能源、电磁兼容、电力牵引、电动汽车、新技术
杂志简介：《大功率变流技术》杂志经新闻出版总署批准，自1978年创刊，国内刊号为43-1486/U，是一本综合性较强的科技期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表科技领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：综述与评论、变流技术、电机与电器、材料与器件、应用与节能、绿色能源、电磁兼容、电力牵引、电动汽车、新技术
作者：Florin; Udrea 刊期：2017年第05期
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是当今最具创新性的功率器件，是目前为止唯一将MOSFET和双极结型晶体管结合在单元胞中的器件。由于MOSFET和双极结型晶体管对开关控制和导通状态都有影响，因此为了优化器件性能及安全工作区，对二者的工作状态需要仔细地折中考虑。文章阐述了IGBT技术的发展历史、器件结构及发展前景，涉及IGBT的基本概念及技术挑战，...
作者：Luther; Ngwendson; 朱春林; Ian; Deviny 刊期：2017年第05期
近年来，随着沟槽栅软穿通技术的发展，IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、栽流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中，需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等，对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响，并在此基础上探索了基于低电感...
作者：张金平; 赵倩; 高巍; 李泽宏; 任敏; 张波 刊期：2017年第05期
目前，采用精细化沟槽栅技术、薄片加工技术、场阻技术和发射极载流子浓度增强技术的器件结构已成为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的主流结构，同时新的器件结构技术、封装技术和新材料技术也成为业界研究的重点。文章针对近年来有关IGBT所取得的最新研究进展，从器件结构、封装技术、国际主要厂商的技术发展、新材料器件等方面对IGBT器件新技术及...
作者：郭淑英; 王征宇; 罗海辉; 张旭辉; 吴义伯; 覃荣震 刊期：2017年第05期
文章分析了电动汽车对IGBT器件的特殊要求，总结了国内外知名厂商针对电动汽车IGBT芯片、模块封装的最新技术路线与研究现状，同时介绍了国内外典型电动汽车IGBT产品的技术特点与应用情况；展望了电动汽车用IGBT器件的未来发展趋势，指出未来电动汽车用IGBT将向更高功率密度、更高工作结温、更高可靠性以及小型化、智能化、定制化的方向发展。
作者：王彦刚; 刘谓瑜; 戴小平; 吴义伯; 彭勇殿; 刘国友 刊期：2017年第05期
讨论了目前电动汽车用功率模块典型的平面封装技术；介绍了汽车功率系统对功率模块的性能要求，以及汽车模块封装面临的挑战和应对措施；讨论了当前典型的采用平面封装技术的电动汽车功率模块，分析其结构和封装技术等；并展望了汽车级平面模块封装技术的下一步发展方向。
作者：杨飞; 朱阳军 刊期：2017年第05期
随着IGBT芯片越来越薄和电流增益越来越低，电流集中效应在IGBT短路关断过程中变得更显著，尤其是在自夹挤模式下。为了提高IGBT短路关断过程中的坚固性，文章通过对称的多元胞电热耦合仿真的方式研究了IGBT主要的器件参数对IGBT在短路关断过程中，尤其是在自夹挤模式下的坚固性的影响。结果显示，有更高掺杂、更宽的漂移区、更低的饱和电流密度...
作者：余伟; 罗海辉; 邓江辉; 周望君; 江普生; 吴煜东 刊期：2017年第05期
为提升器件电流等级，大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时，有效控制器件内部的均流效果非常重要。文章分析了寄生电感对器件均流的影响，并通过理论推导分析了芯片参数对静态均流的影响，最后通过仿真和实验验证了芯片参数对动态均流的影响。结果表明，主回路寄生参数的不对称对均流的影响大于芯片参数差异的，而...
作者：滕渊; 覃荣震; 杨鑫著; 罗湘; 肖强 刊期：2017年第05期
在IGBT动态测试电路（箝位感性负载电路）中，负载电感的作用是提供一个近似恒定的电流源。通常认为，负载电感只是起续流作用，并不关注其取值对IGBT关断参数的影响。文章通过测试与数值仿真发现，在一定范围内，IGBT的关断参数随负载电感增大而增大，且不同类型的IGBT关断参数对负载电感取值的敏感性不同；通过对器件进行物理层面的分析发现，...
作者：钱建波; 黄世东 刊期：2017年第05期
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用，对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求，其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一。活性金属钎焊工艺（AMB）制备的AIN陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选。文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的AIN陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能，...
作者：张大华; 马亮; 张中华; 谭灿健; 刘国友 刊期：2017年第05期
基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体（DMOS＋）平面元胞、增强型受控缓冲层（CPT＋）技术及结终端扩展（JTE）终端结构，通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构，开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的4500VIGBT芯片。高温测试（Tj=125℃）结果表明，该4500VIGBT的导通压降（Vceon）为3V，能够关断6．75倍额...
作者：周飞宇; 宁旭斌; Luther; Ngwendson; 肖强; Ian; Deviny; 戴小平 刊期：2017年第05期
采用沟槽栅结构、软穿通（SPT）技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型（TMOS＋）3300VIGBT芯片，其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高温（Tj=150℃）工况下，芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型（DMOS＋）IGBT的约低25％，并能安全关断11倍额定电流；同等外形尺寸条件下，TMOS＋型IGBT模块的电...
作者：冷国庆; 赵哿; 金锐; 高明超; 温家良; 潘艳 刊期：2017年第05期
直流断路器是高压直流输电系统换流站的主要电气设备之一。作为直流断路器中关键部件，压接型IGBT（insulated gate bipolar transistor）的电学性能及可靠性尤为重要。基于直流断路器的特性需求，开发出一款具有高关断能力的3300V压接式IGBT芯片。该芯片具有良好的开关特性、短路特性及坚固性，可通过8倍额定电流关断测试，且与自主研制的FRD芯...
作者：李炘; 方杰; 宁旭斌; 余伟 刊期：2017年第05期
变流器是风电机组的核心部件之一，半导体功率模块是变流器装置的基础，其性能对变流器的性能和可靠性影响很大，是风电机组能否稳定可靠运行的关键因素。文章从风电变流器用IGBT的应用特点角度出发，主要介绍了某国产1700V／2400AIGBT的芯片性能和模块设计情况、各项动态测试情况以及在风电功率组件中的考核情况。动静态测试结果表明，该模块不...
作者：刘峰; 李彦涌; 杨涛; 朱武; 杨林 刊期：2017年第05期
高压IGBT变流器模块采用电路及元器件一体化设计，其叠层母排和散热器成为模块设计的难点。文章基于大功率试验台基本电路拓扑结构对高压IGBT变流器模块主电路及关键器件选型进行研究，采用有限元仿真‘分析了其叠层母排的设计，并通过试验验证了其水冷散热器的设计满足应用要求。
作者：朱武; 忻力; 李彦涌; 张东辉 刊期：2017年第05期
文章以三电平应用为例，对IGBT器件工作过程中损耗的构成和影响因素进行分析，建立了一个适用于各种控制方式的三电平IGBT变频器损耗计算模型，其以软件仿真数据或试验数据作为输入来计算三电平拓扑中每个功率器件的损耗功率，计算值和测量值的误差在2％以内。利用该模型还可对前期产品设计进行仿真分析，精确计算系统损耗，并且根据器件损耗测...
影响因子：0.35
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.53
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.06
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.32
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.89
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.37
期刊级别：部级期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.31
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.51
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.84
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：1.19
期刊级别：CSSCI南大期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.45
期刊级别：部级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.34
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊