摘要：采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20μm)的Ti-Al-C涂层.经过不同温度(550、650、750和850℃)和时间(1、2和3 h)的真空退火后发现,至少在650℃才能获得Ti2AlC结构,更高的温度会加速Ti2AlC的生成.高温沉积对制备Ti2AlC相涂层而言是必备的.

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