摘要：掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能，但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下，掺杂0～1.7％（摩尔分数）Y20，对ZnO-Bi2O3，压敏电阻片电气性能的影响。结果表明，在1140℃下，掺杂0.68％（摩尔分数）Y2O3，可获得具有300V／mm的电位梯度和370J／cm^3能量吸收能力的高性能电阻片。此外，以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘，加速老化系数好小于1。

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