首页 期刊 创新科技 绝缘栅双极晶体管研究与中试 【正文】

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管   mos功率器件   中试   器件应用   国内  

摘要:绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件,目前在国内的研究只有我们和北工大进行,在国内的生产更是空白,国内的器件应用全靠进口。

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