摘要：硅通孔（TSV）技术是先进的三维系统级封装（3D SIP）集成技术乃至三维集成电路（3D IC）集成技术的核心．TSV绝缘完整性是决定其电性能和长期可靠性的关键因素，在生产过程中对该特性进行在线（inline）测试，及早筛除有缺陷的产品晶圆，可以有效降低总生产成本．本文提出在晶圆减薄前，通过探针与相邻两个TSV盲孔顶部接触进行I-V特性测试，得到两孔间漏电流数据，绘成曲线．若所得I-V曲线在电压为7V～10V时基本呈线性上升，且漏电流为几十皮安量级，则可初步判断该TSV盲孔对的绝缘完整性合格，可进入下一步工艺流程．若I-V曲线在电压为7V或更低时出现漏电流陡增甚至击穿特性，则可以判断该TSV盲孔对中有一个或两个的绝缘完整性已经受损．通过有限元仿真阐释了测试机理，并进行了试验验证．

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