首页 期刊 材料开发与应用 “一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究 【正文】

“一步法”合成NiCo2S4纳米阵列高性能能量存储器件电极的研究

作者:刘沛静 陕西国防工业职业技术学院化学工程学院; 西安710300
一步法   nico2s4   分层三维网络结构   电化学   能量存储  

摘要:通过简单的"一步低温原位合成"法成功制备出了以泡沫镍为基底的具有自支撑结构的分层三维网络的NiCo_2S_4纳米阵列,采用SEM、XRD对产物的微观结构进行表征,并对其进行电化学性能测试。结果表明,由于这种独特的分层网络结构,该NiCo_2S_4纳米阵列不仅能够为能量存储提供大量的电化学活性位点,而且拥有良好的电子传递性能,NiCo_2S_4@泡沫镍电极在20 m A/cm~2的电流密度下,面积比电容可达到10.15 F/cm~2,且当电流密度增大到100 m A/cm~2时,面积电容仍然为7.29 F/cm~2,显示出优异的电容保持率;当NiCo_2S_4负载量是14.8 mg时,电流密度为20 m A/cm~2,充放电5 000次,电容保持率是72.5%,显示出NiCo_2S_4@泡沫镍电极良好的循环稳定性。

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