摘要：采用射频磁控溅射法在功率用半导体散热片Mo上制备了不同本底真空度的Ru薄膜,利用能谱仪、X射线衍射仪、纳米划痕仪及电化学工作站等仪器研究了本底真空度对Ru薄膜化学成分、微观结构、膜基结合力及耐蚀性能的影响。结果表明,随着本底真空度的降低,Ru薄膜中氧含量逐渐降低,当本底真空度为6.0×10^-4Pa时,薄膜中氧含量为0%（原子分数）;当本底真空度为6.0×10^-2Pa时,薄膜两相共存,即hcp-Ru＋fcc-Ru O2,此时,薄膜中Ru O2的相对质量分数约为13.7%;随着本底真空度的降低,薄膜中fcc-Ru O2相对质量分数逐渐减少,当本底真空度为6.0×10^-4Pa时,薄膜中fcc-Ru O2相消失,为hcp-Ru单一相结构;受Ru O2相的影响,薄膜晶粒尺寸及膜基结合力随本底真空度的降低而逐渐增加。研究表明,在3.5%Na Cl溶液,本底真空度为6.0×10-4Pa的Ru薄膜耐蚀性能优于Mo衬底。

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