摘要：为实现在Si衬底上制备GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,本工作尝试利用磁控溅射和常规退火技术,采用铝诱导结晶（AIC）法在（100）晶面单晶硅衬底上制备Ge薄膜,利用金相显微镜（Metallographic microscopy）、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Raman）对其进行表征。分析了铝诱导过程中退火时间和退火温度对Ge薄膜结晶性的影响,发现退火温度越低、时间越长,制备的薄膜质量越好,确定了Ge薄膜晶化的最低退火温度为250℃,并在该温度下成功制备出了晶粒尺寸超过100nm、Ge（111）晶面择优取向度达到99%以上的Ge薄膜。

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