摘要：在众多可应用于气敏传感器的金属氧化物材料中,SnO2半导体是应用范围最为广泛的金属氧化物之一。现今对于SnO2基气敏材料的性能改良主要通过两种手段:一是掺杂法,通过与不同的材料复合,制备复合金属氧化物;二是SnO2纳米材料的制备,控制制备不同形貌的纳米材料。总结了SnO2纳米材料的制备方法,以及不同材料掺杂形成的SnO2基气敏材料,详细描述了各种复合材料的制备方法、形貌特点和气敏性能,并展望了未来SnO2气敏材料的发展方向。

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