首页 期刊 材料导报 非磁性半导体磁阻效应物理模型研究 【正文】

非磁性半导体磁阻效应物理模型研究

作者:何雄; 孙志刚 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室; 武汉430070
非磁性半导体   磁阻效应   物理模型   雪崩电离   巨磁阻  

摘要:非磁性半导体的磁阻效应一直以来受到了科研工作者的广泛关注,具有重大的研究意义和价值,在磁性传感器、高密度存储等方面有着潜在应用前景。主要综述了几种典型的非磁性半导体磁阻效应物理模型,即空间电荷效应模型、纳米非均匀性模型、二极管辅助几何增强模型、栽流子复合模型和雪崩电离模型。最后,对非磁性半导体的雪崩电离基磁阻效应进行了分析和展望。

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