摘要：作为一种无金属的新型半导体材料,g-C3N4因具有稳定的物理化学性质及合适的能带结构而引起人们的关注.理论上g-C3N4完全满足水分解的电势条件.然而研究发现,g-C3N4材料本身的光催化性能并不好,这主要是由于半导体材料被光激发后生成的自由电子和空穴还没来得及到达材料表面参与反应,就在材料体相内发生复合,导致电子参与有效光催化制氢反应的几率大大降低.同时还发现,将少量的贵金属,如Pt,Au,Pd作助催化剂修饰在该半导体表面,其光催化性能明显提高.但由于这些贵金属储量非常稀少,价格昂贵,导致它们的使用受到一定限制.而Ag作为一种价格远低于Pt,Au,Pd的贵金属,也得到了广泛的研究.研究表明,金属Ag储存电子的能力很好,因此可以有效地将半导体上生成的光生电子快速转移到Ag上面去,从而达到电子空穴快速分离的目的.但是在光催化制氢过程中,Ag吸附H+的能力较弱,致使电子与H+反应的诱导力较弱,使得Ag释放电子的能力较差.因此可以通过提高Ag表面对H+的吸附强度,以加速Ag的电子释放,通过表面修饰来提高Ag助剂的光催化活性.研究发现,Ag纳米粒子表面与含硫化合物之间存在很强的亲和力.硫氰根离子(SCN–)具有很强的电负性,容易吸附溶液中H+离子,并且也易吸附在Ag纳米粒子的表面.因此可以利用Ag与SCN–的作用来增强Ag释放电子的能力.本文采用光还原法将Ag沉积在g-C3N4半导体材料表面,然后通过在制氢牺牲剂中加入KSCN溶液,利用SCN?与Ag的亲和力来提高光生电子参与光催化反应的效率.结果表明,在SCN?存在的情况下,g-C3N4/Ag的光催化制氢性能显著提高.当制氢溶液中SCN–浓度为0.3mmolL–1时,材料的光催化制氢性能达最大,为3.89μmolh–1,比g-C3N4/Ag性能提高5.5倍.基于少量的SCN–就能明显提高g-C3N4/Ag材料的光催化性能,我们提出了一个可能性的作用机理:金�

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