摘要：针对互补金属氧化物半导体(CMOS)霍尔传感器的灵敏度和采集带宽问题,对CMOS霍尔传感器的时间限制进行了仿真分析。对现代物理模拟器对CMOS霍尔传感器的瞬态特性进行分析,采用CMOS技术实现了方形霍尔传感器的三维模型,通过电流输运模型对硅器件的磁场效应进行了数值模拟。为了分析响应时间,对整个电路进行了混合模SPICE物理模拟,即三维器件加偏压方案。仿真结果表明:模型化设备的响应时间很快,采集带宽在兆赫范围内。沉降时间主要取决于传感器的物理结构,更高浓度的N孔可以实现更快的霍尔器件,但这将降低传感器的灵敏度。

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