摘要：建立了微机电系统(MEMS)结构的力学模型,分析了横向输出产生的根本原因;基于压阻效应,充分利用对称结构和电桥的抵消作用抑制横向输出;利用MEMS体硅工艺制作了量程100gn的加速度芯片。讨论了加工、封装、测试过程中引入的敏感轴偏离,提出了解决方案。测试结果表明:样品横向灵敏度比可以达到1%,能够满足国防、汽车、工业、消费电子等各领域的应用需求。

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