摘要:研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离,解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题。研制的高温压力芯片压力量程为0~2 MPa,室温1 m A条件下满量程输出信号达到100 m V以上,非线性小于0.15%FS,压力迟滞小于0.05%FS。在-55~+150℃温度范围内,零点温度系数小于20μV/℃,灵敏度温度系数小于0.02%FS/℃,零点温度迟滞小于0.1%FS。将芯片样本在150℃环境下进行了短期零点时漂测试验证其稳定性,结果优于0.05%FS。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
热门期刊服务
Rare Metals 十万个为什么 Acta Mechanica Sinica Acta Metallurgica Sinica Chinese Medical Journal Numerical Mathematics Acta Mechanica Solida Sinica Biomedical and Environmental Sciences Chinese Journal of Mechanical Engineering Chinese Journal of Polymer Science Applied Mathematics and Mechanics Chinese Journal of Integrative Medicine