摘要：设计并制作了一种新型传感器，它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分，其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜（500μm×500μm），增大了体硅上高应力区的面积，在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力，压敏电阻设计为折线结构，采用优化的几何尺寸，并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度．体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作，减小了工艺复杂度．该器件工艺简单，成品率高，与标准IC工艺兼容．初步的测试结果表明器件具有良好的性能。

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