摘要：现阶段随着CMOS工艺特征尺寸的减小,电路中可能会发生单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的敏感节点之间的距离在不断减小,发生一颗高能粒子引起多个节点同时发生翻转的事件概率正逐渐上升。为了提高电路的可靠性,基于抗辐射加固设计方法,提出了一种能够容忍两个节点同时发生翻转的锁存器。该锁存器以双输入反相器(Double-input Inverter,DI)单元作为核心器件,并且在DI单元之间采用了交叉互联的连接方式,减少了器件个数的使用。与传统的具有容错能力的锁存器相比,所提出的结构不仅具有良好的抗双点翻转能力,而且在功耗、延迟以及功耗延迟积(Power Delay Product,PDP)方面都有很大的优势。该结构可靠性高、性能优良,在提高芯片的可靠性方面具有重要意义,有实用价值。

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