摘要：一种低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜（非晶硅碳氧氟薄膜）及其制备方法。现有该类产品介电常数较高、薄膜漏电流密度大、介电强度和电学稳定性不理想，且生产成本偏高。本发明用等离子增强化学气相淀积装置制备了低介电常数绝缘介质α-SiCOF薄膜，主要原料是多氟环氧烷、正硅酸乙酯、等离子激发气体。

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