摘要：日本科学家开发出一种新型晶体管，在30摄氏度的常温条件下，研究人员在真空中用激光照射一种由铟、镓和锌构成的半导体材料，使之成为气状，然后利用聚对苯二甲酸乙二脂(PET)树脂作为基片，让气状半导体材料在基片上蒸镀成厚度为30至60纳米的薄膜，最后在薄膜上制作晶体管，
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