摘要：随着纳米器件的进一步微缩，Hf基高k材料已无法满足其发展需求，需要引入新的高k材料．为了减小纳米器件的等效氧化层厚度（EOT），向HfO2中掺入Al元素，并分别在N2、O2氛围下，对其进行不同时间（15s、30s和60s）的后沉积退火（PDA），退火温度为650℃．结果表明，随着退火时间的增加，O2中样品的EOT、栅极泄漏电流（Ig）以及平带电压（Vfb）均未出现明显变化，而N2中样品的EOT在退火时间为30s时急剧下降，h也有昕上升．最终，退火温度650℃，退火时间30s为最佳退火条件，此时EOT为0．88nm，满足14／16nm技术节点的要求．

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社