首页 期刊 半导体信息杂志 2019年第06期
半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间：1990
所属类别：电子类
发行周期：双月刊
发行地区：江苏
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.01
总发文量：1962
总被引量：115
H指数：3
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  • 发展5G是国家战略 基础研究是重中之重

    刊期：2019年第06期

    据新京报报道,世界5G大会“2019未来信息通信技术国际研讨会”近日在北京举行。本次大会以“5G改变世界,5G创造未来”为主题,将集聚全球信息通信领域最具影响力的科学家和企业家,以及相关政府的领导人围绕5G领域的技术前沿、产业趋势、创新应用等发表演讲和进行高端对话。

  • 科技部:我国6G研发正式启动

    刊期：2019年第06期

    5G刚刚启动商用,6G研发已经开始布局。科技部日前会同国家发展改革委、教育部、工业和信息化部、中科院、自然科学基金委在北京组织召开了6G技术研发工作启动会。据了解,会议宣布成立国家6G技术研发推进工作组和总体专家组,其中,推进工作组由相关政府部门组成,职责是推动6G技术研发工作实施;总体专家组由来自高校、科研院所和企业共37位专家组成...

  • 注册资本2041.5亿元 大基金二期正式成立

    刊期：2019年第06期

    国家企业信用信息公示系统显示,10月22日,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(以下简称“大基金二期”)于北京市工商行政管理局正式注册成立。根据资料,大基金二期注册资本2041.5亿元人民币,楼宇光为法定代表人、董事长,丁文武为总经理。

  • UnitedSiC首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗

    刊期：2019年第06期

    美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mQ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7 md,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16 m...

  • 北京5G产业白皮书:重点支持6英寸SiC和GaN芯片工艺平台

    刊期：2019年第06期

    近日,北京市经济信息化局了《北京市5G产业发展白皮书(2019年)》(以下简称白皮书),梳理了北京市5G产业下一步重点工作,重点应用到2022年年底前将形成示范效应,为北京市5G产业创新发展提供重要支撑。

  • 科锐Cree完成首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆制样

    刊期：2019年第06期

    10月下旬,美国科锐Cree在纽约州立理工学院奥尔巴尼分校成功完成了首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆样品的制备,为其此前宣布的量产计划做好了前期准备。今年5月初,Cree宣布了一项公司迄今为止最大的投资项目——将在5年内投资10亿美元用于扩大碳化硅晶圆产能。

  • Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本

    刊期：2019年第06期

    美国加州坎贝尔市的Pre-Switch公司是一家为DC/AC和AC/DC功率转换提供软开关的初创公司,该公司表示其软开关绝缘栅双极晶体管(1GBT)和碳化硅(SiC)栅极驱动器架构,包括由Pre-Flex现场可编程门阵列(FPGA)供电的Pre-Drive3控制器板,以及谐振功率栅极(RPG)驱动器板,可以显着降低太阳能逆变器的成本。两级架构据称可提供与五级设计相同或更高的开关损...

  • Soitec宣布与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划

    刊期：2019年第06期

    该计划旨在提供技术和产品来改善碳化硅的性能和可用性,以满足电动汽车,电信和工业应用不断增长的需求。法国贝尔宁一设计和制造创新半导体材料的行业领导者Soitec(巴黎泛欧交易所)宣布了与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的计划。对碳化硅基芯片的需求一直在增长,特别是在电动汽车,电信和工业应用中。

  • II-VI签署史上金额最大订单超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底

    刊期：2019年第06期

    II-VI公司是工程材料和化合物半导体领域的领导者,它签署了一项价值超过1亿美元的多年协议,这是II-VI历史上最大的一笔协议,旨在供应碳化硅(SiC)衬底用于部署在5G无线基站中的氮化镰(GaN)RF功率放大器。5G无线服务的加速部署正在推动5G无线供应链生态系统中更深的战略关系,以满足市场窗口。

  • 英国科学家发现砷化镓存不稳定性或可为汽车等研发更好的电子产品

    刊期：2019年第06期

    据外媒报道,英国卡迪夫大学(Cardiff University)的研究人员首次发现,一种普通半导体材料的表面具有以前从未被发现的“不稳定性”。该发现可能对为日常生活提供能量的电子设备材料的未来发展产生深远影响。从智能手机、GPS到卫星和笔记本电脑,复合半导体是此类电子设备不可或缺的一部分。该项新发现揭示了一种常用的复合半导体材料-砷化镓(GaA)...

  • 日本团队开发新型GaN晶体制造装置

    刊期：2019年第06期

    日本科学技术厅(JST)日前宣布,成功研制出一种基于THVPE方法的高质量大块GaN生长装置,这是新扩展技术转移计划(NexTEP)的开发课题。2013年8月至2019年3月,根据东京农业科技大学Akinori Koukitsu的研究成果,日本三雄株式会社(Taiyo Nippon Sanso)的创新与研发部门进行了商业适用性开发。该研究小组开发了一种GaN晶体制造装置,实现了高速、高质量...

  • 英飞凌在CoolGaN产品组合中增加了400V和600V器件

    刊期：2019年第06期

    德国慕尼黑的Infineon Technologies AG已通过两种新器件扩展了Cool-GaN系列。CoolGaN 400V器件(IGT40R070D1 E8220)专为高端HiFi音频系统量身定制,在该系统中,最终用户需要高分辨率音轨的每个细节。传统上,这些已由庞大的线性或电子管放大器解决。相反,音频设计人员可以将CoolGaN 400V开关用作D类输出级。CoolGaN 600V工业级器件(IGLD6OR19OD1)...

  • 金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率

    刊期：2019年第06期

    据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的髙功率,增强热管理能力。

  • 北京大学借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长

    刊期：2019年第06期

    近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登。

  • GaN(氮化镓)逆变器成功应用于电动汽车有望实现节能再增20%

    刊期：2019年第06期

    日本一研究团队近日宣布,他们利用半导体材料氮化镓(GaN)研发的逆变器,已首次成功应用在电动汽车上,有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。

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