半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2019年第05期
10月8日,工信部公布了一份答复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》的函,函中工信部指出,中国集成电路产业核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心技术攻关,保障供应链安全和产业安全。工信部指出,将调整完善工业半导体芯片政策实施细则,促进中国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭...
刊期：2019年第05期
5G为GaN打开应用的“闸门”5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下,氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度,以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。据市...
刊期：2019年第05期
中国集成电路发展的“蓝图”即将面世。从近日举行的2019中国(上海)集成电路创新峰会院士圆桌会议获悉,上海将牵头制定“中国集成电路技术路线图”,担纲重任的是国家集成电路创新中心。此次公布的《中国集成电路技术路线图(草稿)》由集成电路制造技术现状和发展趋势、先进光刻工艺发展趋势等六大部分组成。
刊期：2019年第05期
近日深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations了其InnoSwitch^TM3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员———基于氮化镓的InnoSwitch3AC-DC变换器IC,可满载情况下实现95%的高效率,并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100W的功率输出。PI资深技术培训经理阎金光先生在会上表示,基于GaN的InnoSwitch3...
刊期：2019年第05期
Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓(GaN)技术功率放大器,作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中,将比目前系统中广泛使用的砷化镓(GaAs)放大器实现更高的效率,功率密度,可靠性和生命周期总成本。Qorvo利用碳化硅(SiC)基GaN开发了S波段MMIC高功率放大器(HPA),与前一代GaAs材料相比,GaN HPA的饱和输...
刊期：2019年第05期
2019年9月30日讯-深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司9汽车(EV)提高行驶里程和实现更快充电时间,同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)最初将用于德尔福科技为某一全球顶级汽车制造商设计的800V电控逆变器。计划量产时间为2022年。德尔福科技首席执行官Richard F.(Rick)Dau...
刊期：2019年第05期
Diodes公司推出额定40V的DMTH4008LFDFWQ及额定60V的DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的MOSFET,采用DFN2020封装。这两款微型MOSFET仅占较大封装(例如SOT223)10%的PCB区域,可在直流对直流(DC-DC)转换器、LED背光、ADAS及其他“引擎盖下”的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ在VGS=10V时的RDS(ON)标准值为11.5mΩ,闸10高通31亿...
刊期：2019年第05期
恩智浦半导体日前宣布全方位射频功率多芯片模块(MCM)产品组合将全面上市,支持开发用于5G基站的大规模MIMO有源天线系统。恩智浦5G Airfast解决方案的集成度更高,可以减小功率放大器尺寸、缩短设计周期及简化制造流程。恩智浦无线电功率解决方案资深副总裁兼总经理Paul Hart表示:“5G基础设施网络的部署比上一代更快。我们的5G大规模MIMO解决方...
刊期：2019年第05期
埃赋隆半导体(Ampleon)了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管产品线,加强其地面移动电台业务。这一新的12VLDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术,其应用范围包括商业、公共安全和国防移动无线电应用。新的12VLDMOS产品包括陶瓷和塑料封装,并且承诺的最短生产年限是15年。2款首发产品是BLP9LA25S和BLP5LA55S。这两款12V器件可...
刊期：2019年第05期
科锐与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。科锐是碳化硅(SiC)半导体全球领先企业,德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商,双方的此次合作将通过采用碳化硅(SiC)半导体器件技术,为未来电动汽车(EV)提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。科锐碳化硅(SiC)基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术与德...
刊期：2019年第05期
美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商Ⅱ-Ⅵ公司提供了用于电力电子设备的碳化硅(SiC)衬底,该公司介绍了它所说的第一款用于射频功率的200mm直径半绝缘碳化硅衬底原型。5G无线基站天线和其他高性能RF应用中的放大器。预计5G无线技术的部署将在全球范围内加速发展,从而推动对RF功率放大器的需求,这些功率放大器可以在新的高频频段...
刊期：2019年第05期
总部位于英国的Plessey公司开发用于增强现实和混合现实(AR/MR)显示应用的嵌入式微LED技术,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,创14造了2.5μm像素间距微LED显示屏的记录。超精细,超高分辨率2000×2000像素显示器采用微型LED,这项技术在下一代可穿戴设备,AR/VR硬件和平视显示器(HUD)的开发中发挥着关键作用。它们需要大约20%的典型LCOS(硅...
刊期：2019年第05期
台积电7纳米产能爆满之际,5纳米布局也传捷报。在苹果、海思、超微、比特大陆和赛灵思五大客户都决定采用5纳米作为下世代主力芯片制程下,台积电5纳米需求超预期,并大幅上修产能布建,由原订每月5.1万片大增至7万片,增幅近四成,同时加速量产脚步,提前明年3月量产。台积电在7纳米已取得业界完全领先优势,加上5纳米需求超预期,台积电先进制程将持续...
刊期：2019年第05期
位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且提供更高的击穿电压。其他宽带隙技术正在出货。在当今的功率半导体市场中,氮化镓(GaN)和SiC MOSFET等两种宽带隙...
刊期：2019年第05期
10月2日,清华大学化学工程系魏飞教授团队题为“超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长”(Rate selected growth of the ultrapure semiconducting carbon nanotube arrays)的论文在《自然-通讯》(Nature Communications)上在线发表。该论文研究指出,碳纳米管在生长过程中的原子组装速率与其带隙相互锁定,金属管数量随长度的指数衰减速率比半导体...
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