首页 期刊 半导体信息杂志 2019年第02期
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半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间：1990
所属类别：电子类
发行周期：双月刊
发行地区：江苏
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.01
总发文量：1962
总被引量：115
H指数：3
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  • 5G牌照预估今年发放 2020年将正式商用

    刊期：2019年第02期

    3月28日,据国内媒体报道,工信部部长苗圩在博鳌亚洲论坛上表示:将根据终端成熟情况在今年适时发放5G牌照,5G大规模商用还需要给有实力的企业一点时间,在全国范围内把5G网络的基站先建立起来,为大规模的商用提供基础条件.

  • Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC2019

    刊期：2019年第02期

    2019年3月12日,VishayIntertechnology,Inc宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。

  • 全球首个全垂直结构Si基GaN功率MOSFET

    刊期：2019年第02期

    一、背景介绍目前产业界已经生产出高性能水平结构的GaN电力电子器件,但该类型器件的主要缺陷在于耐压的提高正比于栅极到漏极的距离,因而在高压工作情况下需要更大的器件面积。此外,器件耐压水平的提高还取决于缓冲层的厚度和质量。最后,水平结构器件还受到器件表面陷阱态和聚集的高电场的严重影响,导致电流崩塌和其他可靠性问题。

  • Littelfuse将于2019年APEC大会上推出650V碳化硅肖特基二极管该二极管提供新的封装尺寸以及6A至40A的额定电流

    刊期：2019年第02期

    Littelfuse,Inc.近日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。相比传统的硅基器件,两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温,因此是需要增强效率.

  • 安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET补足成长的生态系统并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

    刊期：2019年第02期

    2019年3月19日,推动高能效创新的安森美半导体Semiconductor,推出了两款新的碳化硅MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

  • 三菱电机全新1200V碳化硅肖特基二极管

    刊期：2019年第02期

    近日,三菱电机株式会社了1200V碳化硅肖特基二极管产品,该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品,2020年1月开始发售。

  • Diodes公司的双极晶体管采用3.3mm×3.3mm封装并提供更高的功率密度

    刊期：2019年第02期

    Diodes公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出NPN与PNP功率双极晶体管,采用小尺寸封装(3.3mm×3.3mm),可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。

  • Ampleon推出915MHz高效750W射频功率晶体管可实现更紧凑的功率放大器设计

    刊期：2019年第02期

    埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。该器件的工作频率范围为902MHz至928MHz,适用于工业、科学和医疗系统,以及专业烹饪应用。

  • ST IH系列IGBT在软开关电路实现最佳导通和开关性能

    刊期：2019年第02期

    意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWERTMIGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。

  • GaN System宣布推出1kW以内消费级氮化镓电源

    刊期：2019年第02期

    日前,GaN System宣布推出GS-065低电流(3.5A-11A)晶体管产品线。该产品套件专为低于1kW的电源应用而开发,适用于消费级电源产品,如用于游戏和工作站笔记本电脑的AC适配器,电视电源,LED照明,无线电源系统和家用电机驱动器。

  • 又一中国芯片巨头诞生:推出5G 7nm芯片组

    刊期：2019年第02期

    最近,中国的紫光展锐在国际通讯大会上了首款5G芯片组,被命名为了春藤510。这不仅是国内公司继华为以后第二个拥有独立研发设计5G芯片的能力的公司,也成为了国内又一个芯片巨头。相比之下,紫光展锐在5G芯片研发进程已经走在了苹果和联发科的前面。从联发科的情况来看;联发科在5G芯片上的脚步已经落后于华为和高通了。

  • 南京紫金山实验室获关键突破5G毫米波芯片成本大幅下降

    刊期：2019年第02期

    去年8月,网络通信与安全紫金山实验室在江苏南京揭牌,拟以国家实验室为标准,建设国际一流水平的研发机构和部级创新基地。'实验室瞄准重大的科学技术问题、产业发展重大的瓶颈问题,攻关普通企业、普通研究单位、普通高校难以完成的一些重大任务。

  • 中国电科成功制备4英寸氧化镓单晶

    刊期：2019年第02期

    近日,中国电科46所经过多年氧化镓晶体生长技术探索,通过改进热场结构、优化生长气氛和晶体生长工艺,有效解决了晶体生长过程中原料分解、多晶形成、晶体开裂等问题,采用导模法成功制备出高质量的4英寸氧化镓单晶。

  • 台积电6nm工艺将推出:与5nm组成苹果A14双保险

    刊期：2019年第02期

    台积电近日宣布,新的6nm工艺将对现有的7nm技术进行重大改进,同样拥有极紫外光刻(EUV)工艺,可以快速过渡并快速投产。EUV是一种用于芯片生产的技术,目前正处于7nm+工艺的试验阶段。6nm工艺预计将在2020年第一季度进入风险生产阶段,这为其应用于未来的A系列芯片提供了机会。

  • RF GaN需求飙升 专利申请战全面启动

    刊期：2019年第02期

    电信和国防应用推动射频氮化镓蓬勃发展。根据市调机构Yole Développement调查指出,RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展,截至2017年底,RF GaN市场产值已经接近3.8亿美元,2023年将达到13亿美元以上。

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