半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2019年第01期
高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOMTechnology Solutions Inc.('MACOM')推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块,扩展了硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率放大器产品组合。该模块可以优化用于陆地移动无线电(LMR)系统,无线公共安全通信和军事战术通信和电子对抗(ECM)。MAMG-100227-010具有顶侧和底侧安装可配置性的两级...
刊期：2019年第01期
业界一直在说5G即将来临,5G到底离我们还有多远?日前工信部给出了答案:预计2019年上半年可推出5G终端芯片。1月29日,国家发改委召开新闻会,介绍近日发改委会同工信部、商务部等十部委联合印发的《进一步优化供给推动消费平稳增长促进形成强大国内市场的实施方案》有关情况。会上,工信部信息化和软件服务业司副司长董大健表示。
刊期：2019年第01期
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行层组成,包括10nm氮化铝镓(AlGaN)阻挡层,1nm AlN间隔层和10nm GaN沟道(图1)。
刊期：2019年第01期
挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓(AlGaN)纳米锥阵列。发表于[A.Mazid Munshi et al,Appl.Phys.Lett.,vol113,p263102,2018]挪威CrayoNano AS公司、德国马克斯-普朗克学会光学所、德国亥姆霍兹柏林能源与材料中心、挪威科技大学(NTNU)和挪威科技工业研究院(SINTEF)的研究团队看到了该材料在紫外(UV)发光二极管,光电探...
刊期：2019年第01期
日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中热管理是实现更高功率密度的关键步骤。金刚石是一种具有非常高导热性的材料。
刊期：2019年第01期
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(...
刊期：2019年第01期
意法半导体的MDmeshTM DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。MDmesh DM6MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后...
刊期：2019年第01期
美国Littelfuse公司推出了LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系(SiC)肖特基二极管。这款二极管可选择额定电流(6A,8A,10A,16A或20A),为电力电子系统设计人员提供各种性能优势,包括可忽略的反向恢复电流,高浪涌能力并提供175°C的最大工作结温,因此它们适用于需要提高效率,可靠性和热管理的应用。
刊期：2019年第01期
美国北卡罗莱纳州立大学Kijeong Han和BJ Baliga开发了一款4H-多型碳化硅(4H-SiC)八边形电池功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其降低了栅极电容和电荷,提高了频率品质因数(HF-FOM),使其优于传统的线性布局器件。Han和Baliga表示,设计是首款通过使用八边形单元拓扑结构来改进4HSiC功率MOSFET的HF-FOM的实验性器件,该器件的目标是1.2kV...
刊期：2019年第01期
埃赋隆半导体(Ampleon)面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用于各种工业、消费和专业烹饪射频能量应用;由于它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW,因此具有非常高的功率与封装比。
刊期：2019年第01期
Littelfuse公司,近日宣布推出SJ系列高温SCR(硅控整流器)开关型晶闸管,升级了其开关型晶闸管产品系列。这一新系列为电路设计师提供高达600V阻断电压(VDRM)和4A至40A额定电流,支持广泛的应用。通过为设计师提供比SCR早期型号更广泛的工作范围,该系列产品可在启动时耐受冷却不足的情况和更高的浪涌电流。
刊期：2019年第01期
三星前不久的2018年Q4季度财报指引显示三星当季盈利会大幅下滑,同比跌减少9%,环比减少38.5%,而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手机业务低迷,还有最关键的存储芯片降价,这个趋势会一直持续到今年上半年。为了弥补存储芯片降价周期带来的影响,三星早就开始强化代工业务了,要赶超台积电,而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说,他...
刊期：2019年第01期
中芯国际联系CEO梁孟松博士透露,目前中芯国际第一代FinFET 14nm工艺已经进入客户验证阶段,产品可靠度与良率进一步提升,同时12nm工艺开发也取得突破。根据媒体报道,中芯国际14nm工艺将在今年上半年投入大规模量产,良品率已高达95%。
刊期：2019年第01期
半导体已经发展成为全球经济增长的支柱性产业,随着技术的不断突破,越来越多的国家开始重视相关技术的发展。在全球半导体技术发展和应用里,北美、欧洲和亚太地区成为全球三大半导体产业的发源地和主要消费市场。据相关数据统计,2017全年半导体销售额占比排行统计,依次是北美(美国)地区、欧洲地区、亚太区,它们涉及主要的半导体产业国有十个,这...
刊期：2019年第01期
2018年12月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区的召开的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)刚刚结束。在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程...
影响因子：0.32
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.84
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.31
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.17
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.45
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.44
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.83
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：--
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：1.14
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.5
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.09
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：--
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊