半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2018年第06期
11月13日,国防科工局在京组织召开,国防科技工业科学技术委员会成立大会。国防科工局局长、国防科技工业科技委主任张克俭出席会议作重要讲话,并向科技委季员、领域专家代表颁发证书并为科技委揭牌。国防科工局副局长张建华宣读科技委成立文件,国防科工局副局长田玉龙主持会议,国防科技工业科技委名誉主任、副主任、委员和领域专家等出席会议。
刊期：2018年第06期
近日,江苏省5G产业联盟成立大会在南京举行,江苏移动担任5G产业联盟理事长单位。据悉,目前南京、苏州两个国家试点城市的试验网规模组网工作正有力推进,江苏已建成5G试验基站130个,形成试点片区连续覆盖,并启动行业试点应用。预计到年底,江苏将全面完成,5G规模组网试验。
刊期：2018年第06期
近日,工信部IMT-2020(5G)无线技术工作组组长粟欣表示,6G概念研究在今年启动。目前,除了中国外,美国、俄罗斯、欧盟等国家和地区也在进行相关的概念设计和研发工作。据了解,未来6G技术理论下载速度可以达到每秒1TB,预计到2020年将正式开始研发,2030年投入商用。此前工信部部长苗圩也表示,中国已经在今年3月份开始着手研究6G。
刊期：2018年第06期
美国宾夕法尼亚州Saxonburg的工程材料公司Ⅱ-Ⅵ Inc宣布与住友电工株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司(SEDI)展开战略合作,建立垂直整合的150mm晶圆制造平台,用手制造下一代5G无线网络的碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
刊期：2018年第06期
近日,全球知名的半导体厂商英飞凌科技股份公司推出了氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN 600V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaNEiceDRIVER^TM IC)。据悉,英飞凌产品的优越性包括:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。
刊期：2018年第06期
美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm^-2。
刊期：2018年第06期
德国亚琛工业大学在氮化镓(GaN)外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管(vc-JFET)。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的,因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料,从而避免了对表面钝化或场板的需要。
刊期：2018年第06期
氮化镓(GaN)半导体技术厂商Exagan日前于慕尼黑电子展(Electronica Trade Show)上,高功率转换解决方案。服务器与电动车将成为率先导入的两大应用领域。
刊期：2018年第06期
华南师范大学和北京大学在(100)硅上开发了基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属-半导体-金属(MSM)探测器。(本文在ACS Photonics于2018年11月1日在线发表).
刊期：2018年第06期
总部位于达拉斯的德州仪器公司(TI)推出了即用型600V氮化镓(50mΩ和70mΩ功率级)LMG341x系列,该系列可支持10kW的应用条件。该公司表示,与在AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,其LMG341x系列可以使其应用在更小,更高效和更高性能的设计应用上。
刊期：2018年第06期
浙江大学近期首次报道了没有电流折叠(即没有动态导通电阻降低)的垂直GaN功率整流器(GaN-on-GaN)。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns,性能也超过了目前最先进的硅(GaN-on-Si)器件上的横向氮化镓。同时,研究团队通过使用高速双脉冲测试电路在各种开关条件下定量评估动态导通电阻,验证了垂直GaN功率整流器中实验无电...
刊期：2018年第06期
11月4—7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体,重磅推出碳化硅MOSFET产品。
刊期：2018年第06期
在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的硫捕获器件电流路径中的一些电子传导,增加阈值电压而不改变器件的导通电阻而实现的。
刊期：2018年第06期
UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比,FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。基于UnitedSiC专有的共源共栅配置技术,新的系列产品在具备更高开关速度的同时,也能够为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET器件提供“直接”替代解决方案。这意味着系统可以轻...
刊期：2018年第06期
近日,日本功率半导体制造商ROHM公司宣布开发出额定功率为1700V/250A的SiC功率模块,该功率模块可提供业界最高水平的可靠性,针对室外发电系统和工业高功率电源等领域应用的逆变器和转换器应用了进行优化。
影响因子：0.32
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.43
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.84
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.31
期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.17
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.45
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.44
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
影响因子：0.83
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：--
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：1.14
期刊级别：省级期刊
发行周期：月刊
影响因子：0.5
期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
影响因子：0.09
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊