摘要:瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝(AlN)成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓(GaN)缓冲层,以避免大面积扩展缺陷。
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