摘要：意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti近日宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求,包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。

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