首页 期刊 半导体信息杂志 2018年第05期
半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位：中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位：中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间：1990
所属类别：电子类
发行周期：双月刊
发行地区：江苏
出版语言：中文
预计审稿时间：1个月内
综合影响因子：0.01
总发文量：1962
总被引量：115
H指数：3
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  • 美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管提高器件功率并保持小体积、低质量

    刊期：2018年第05期

    美国纽约州立大学布法罗分校研制出击穿电压达到1850V的氧化镓晶体管，有望在改善电动汽车，太阳能和其他形式可再生能源方面发挥关键作用，如可使电动汽车提高能量输出的同时，保持车身的轻量化和流线化设计。研究成果发表在《IEEE电子器件快报》9月刊。

  • 成都集成电路行业协会成立推进产业联动、构建特色产业生态

    刊期：2018年第05期

    9月14日,成都市集成电路行业协会在＂2018年国际泛半导体产业投资峰会＂上揭牌成立,该协会由成都市集成电路企业、风险投资机构、企业服务机构、高校及科研院所、事业单位等机构共同组成。电子信息产业是四川省第一支柱产业,而成都又是四川电子信息产业的战略要地。2017年,成都全市电子信息产业规模达到6400亿元.

  • 宜普电源转换公司推出100V,25mΩ的eGaN功率晶体管

    刊期：2018年第05期

    位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的宜普电源转换公司（EPC）公司推出了一款100VGaN晶体管,最大RDS（on）为25mΩ,小尺寸的高效电源转换的脉冲输出电流为37A——EPC2051。这款晶体管主要将硅上eGaN功率场效应晶体管（FET）在电力管理上应用。

  • 意法半导体和Leti合作开发硅基氮化镓功率转换技术

    刊期：2018年第05期

    意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti近日宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求,包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。

  • 氮化镓（GaN）器件可满足雷达、电子战（EW）和通信系统所需的高性能、高功率和

    刊期：2018年第05期

    观点来源：美国Qorvo公司国防和航空市场战略总监Dean White美国Wolfspeed公司航空和国防制造高级总监Jim Milligan恩智浦（NXP）RF多市场团队的产品营销Gavin Smith NXP应用工程师Paul Scsavnicki水星系统公司RFM组高级总监兼总经理Deepak Alagh雷达、电子战（EW）和通信系统越来越多地使用氮化镓（GaN）技术来满足这些系统严格的高性能、高功...

  • 台达公司使用高压GaN FET将电源尺寸缩小25%

    刊期：2018年第05期

    为客户提供电力电子和热处理解决方案的提供商台达电子表示,其最新产品80Plus铂金800W电源装置（PSU）,现可提供备用锂离子电池,这一产品的出现得益于使用Transphorm公司的高压（HV）GaN FET。Transphorm公司位于美国加利福尼亚州的戈莱塔市,该公司设计和制造的这款GaN FET符合JEDEC和AEC-Q101标准，是一款具有高压功率转换的场效应晶体管。

  • 雷神公司宣布在新生产的GEM-T拦截器中使用GaN发射器芯片

    刊期：2018年第05期

    雷神宣布将开始在新生产的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）拦截器中使用氮化镓（GaN）计算机芯片,以取代目前在导弹发射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通过使用GaN芯片升级GEM-T的发射器,提高拦截器的可靠性和效率。此外,在新生产导弹中过渡到GaN意味着发射器不需要在拦截器的使用寿命期间更换。

  • 光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽

    刊期：2018年第05期

    日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展[Fumimasa Horikiri et al, Appl. Phys.Express, volll, p091001, 20181]。该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。

  • 高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管

    刊期：2018年第05期

    英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。可以看出器件采用的是分流式漏极,这可以评估由于与磁场相互作用引起的电子路径偏差。这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉（T）中磁场上的总漏极电流给出。

  • 集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块

    刊期：2018年第05期

    三菱电机开发了首款6.5kV全SiC（Silicon Carbide）功率模块,采用高绝缘耐压HV100标准封装（100mmí140mm）。通过电磁仿真和电路仿真,优化了HV100封装的内部设计,并通过实际试验验证了稳定的电气特性。6.5kV HV100全SiC功率模块为了提高功率密度,将SiC SBD（Schottky Barrier Di-ode）与SiCMOSFET芯片集成在一起。

  • 力特公司推出首款1700V SiC MOSFET

    刊期：2018年第05期

    Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC器件,使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终用户将由此获得更紧凑,更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。Littelfuse还表示.

  • 提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品

    刊期：2018年第05期

    据外媒报道,在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上,英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品,肖特基（Schottky）二极管,并为其新创了一个品牌名CoolSiC。此二极管专为混合动力车和电动车中的车载充电器（OBC）应用而设计。基于碳化硅的半导体元件肖特基（Schottky）二极管与传统硅元件相比更具能效,因此能量损失也更低。同时,此类半导体元件还能在...

  • 英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件

    刊期：2018年第05期

    更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS~（TM） P7系列的新成员950V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。

  • 埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管

    刊期：2018年第05期

    埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出大功率坚固型BLF189XRARF功率晶体管，用于88—108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。BLF189XRA采用业界标准的50V电源供电，输出功率超过1，600W（CW）。该晶体管具有同类最佳的工作功率效率（〉82％），这一“绿色”凭证有助于提供环保性能，并且，能够通过单个SOT539封装提供这样的功率水平，也可减少整...

  • Integra公司推出用于敌我识别器航空电子设备的射频和微波晶体管

    刊期：2018年第05期

    Integra技术公司正在推出用于电子战、雷达、航空电子设备、国防、通信，以及情报、监视和监控（ISM）应用的IGN1011L120IFF晶体管。通过使用氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）技术，该晶体管可提供120瓦的峰值输出功率。

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