杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期:2018年第02期
4月8日,工业和信息化部电子信息司在广东省深圳市组织召开了2018年全国电子信息行业工作座谈会。会议明确了当前电子信息产业的基本形势,总结了2017年工作,部署了2018年主要任务。工业和信息化部党组成员、副部长罗文出席会议并讲话,深圳市人民政府副市长高自民出席会议并致辞,工信部部电子信息司司长刁石京作工作报告。
刊期:2018年第02期
2018年4月9-10日,国家集成电路产业投资基金总裁、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟名誉理事长丁文武先生一行密集调研宽禁带半导体产业的情况,调研的单位包括基本半导体、英诺赛科。
刊期:2018年第02期
2018年4月12日-13日,“2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会”在南京建邺区朗异希尔顿酒店举行。本届年会由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院(赛迪集团)和南京市江北新区管理委员会主办,赛迪顾问股份有限公司、南京软件园共同承办。
刊期:2018年第02期
HRL实验室为DARPA研发超线性氮化镓晶体 美国国防先期研究计划局(DARPA)于2017年3月设立动态范围增强型电子和材料(DREaM)项目,主要研究晶体管用于产生和接收射频、微波信号,应用领域主要是国防领域通信、信号情报和电子战等,旨在显着改善从无线电通信到雷达的电磁频谱管理。
刊期:2018年第02期
美高森美公司(Microsemi)宣布提供下一代1200V碳化硅(sic)MOSFET系列的首款产品40 mOhm MSC040SMA120B器件,以及与之配合的1200 VSiC肖特基势垒二极管(SBD),进一步扩大旗下日益增长的SiC分立器件和模块产品组合。
刊期:2018年第02期
松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,栅极电压高达10V,工作电流在20A,击穿电压达到730V。
刊期:2018年第02期
Qorvo推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-sic)RF 晶体管-QPD125。QPD1025在65V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。
刊期:2018年第02期
Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconduc-tor Inc.近日新推出两款1200V碳化硅(SIC)n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。
刊期:2018年第02期
半导体和电子元件分销商贸泽电子(MouserElectronics)3月6日起备货AnalogDevices,Inc的HMC8205氮化镓(GaN)功率放大器。此款高度集成的宽带MMIC射频(RF)放大器覆盖300MHz至6GHz频谱,可应用于需要支持脉冲或连续波(CW)的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等。
刊期:2018年第02期
凭借其新型R&S PKU100放大器,罗德与施瓦茨公司正在进军Ku波段的卫星上行链路放大器市场。R&S PKU100将固态放大器无与伦比的优势以及管式放大器高紧凑性和低重量的特点集成在一台设备中。自适应线性化使得R&S PKU100真正具有创新性。
刊期:2018年第02期
Qorvo进一步降低网络供应商部署物联网的难度。Qorvo的现有小信号产品组合性能卓越,可以协助网络供应商在早期阶段使用900MHz频段扩建网络。
刊期:2018年第02期
全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗1和高速开关特性的650V耐压IGBT2“RGTV系列(短路耐受能力3保持版)”和“RGW系列(高速开关版)”,共21种机型。
刊期:2018年第02期
根据一家公司总部位于阿布扎比的Alfields LLC.声称,该公司的研究人员发现了一种新的碳同素异形体——protomene,它可能比氮化镓(GaN)更适用于光电组件,同时也比碳纳米管(CNT)和石墨烯适合更多的半导体组件应用。
刊期:2018年第02期
2018年4月3日,德国慕尼黑讯——如今,电源制造商需要使用能够提供最佳性能、效率、稳健性且便于设计的器件。为此,英飞凌科技股份公司推出了第5代固定频率700V/800V CoolSETTM。
刊期:2018年第02期
随着技术不断进步以及现代汽车中复杂电子系统应用的日益增加,市场对相关器件定时性能和可靠性的卓越性要求越来越高。在当今高度先进的汽车系统中,时序的精确度、准确性以及对恶劣环境的耐受能力对于能否确保精确操作至关重要。