半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2018年第01期
日前，国家发改委就宏观经济运行情况举行新闻会，国家发改委政策研究室主任兼新闻发言人严鹏程在会上介绍，今年，发改委将在集成电路、先进计算、生物育种等关系数字经济、生物经济、绿色经济发展的战略性领域，组建若干国家产业创新中心，促进现有创新资源的联合，打造系统解决方案的产业创新大平台、大团队，支撑世界级新兴产业集群的发展。
刊期：2018年第01期
国家集成电路产业投资基金二期募资已经启动，募集金额将超过一期，一期募集资金1387亿元，市场预计二期规模有望达到2000亿元。其中，中央财政直接出资200—300亿元，国开金融公司出资300亿元左右，中国烟草总公司出资200亿元左右，中国移动公司等央企出资200亿元左右，
刊期：2018年第01期
日前，5G技术研发试验第三阶段规范正式，这意味着我国5G技术研发又到了一个新的阶段。当下，我国正在大力开展5G技术与产业化的前沿布局，在5G芯片领域取得积极进展，技术产业化进程不断加快。
刊期：2018年第01期
5G商用在即，早有部署的半导体巨头近期也正在忙着确定合作伙伴，短短一天内，多家巨头宣布重要消息，其中采用极紫外光设备的7nmLPPEUV制程将用于5G芯片制造，同时，安卓高端5G智能手机解决方案将于2019年实现与5G移动网络的部署同步推向市场。
刊期：2018年第01期
安谱隆半导体（Ampleon）近日宣布，推出600W的BLF0910H9LS600LD—MOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV50VLDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
刊期：2018年第01期
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与远创达科技公司签署一份LDMOS射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司，专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。
刊期：2018年第01期
中芯国际1月30日晚间公告，将联同国家集成电路基金及上海集成电路基金共同投资102．4亿美元，以加快14nm及以下先进制程研发和量产计划。
刊期：2018年第01期
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商，团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。
刊期：2018年第01期
Veeco公司和ALLOSSemiconductors（ALLOS）达成了一项战略举措，展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝／绿光microLED的生产。维易科和AL—LOS合作将其专有外延技术转移到Propel单晶圆MOCVD系统，从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。
刊期：2018年第01期
来自电子、微电子及纳米技术研究院（IEMN）的最新结果显示，ALLOS即将推出的适用于1200V器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过1400V的纵向和横向击穿电压。
刊期：2018年第01期
近日，美国国家航空航天局（NASA）“热工作温度技术”（HOTTech）项目授予美国亚利桑那州立大学电子和计算机工程专家YujiZhao一份为期三年、价值75万美元的合同，将开发首个基于氮化镓（GaN）的可工作于高温环境的微处理器，对未来空间探索任务带来变革。
刊期：2018年第01期
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）和MACOM公司宣布一份硅上氮化镓GaN合作开发协议。据此协议，意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大MACOM的货源外，该协议还授权意法半导体在手机、
刊期：2018年第01期
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo，Inc．近日宣布，Qorvo前端功率放大器（PA）将用于高通子公司QualcommTechnologies，Inc．的高通蜂窝车联网（C—V2X）参考设计。Qorvo新型GaAsHBTPA是唯一一款支持C—V2X的功率放大器，旨在增强行车安全意识，改进驾驶辅助功能。
刊期：2018年第01期
东京一东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布研发出新一代Tar—fSOITM（东芝先进的RFSOI）工艺——“TaRF10”，该工艺经优化适用于智能手机应用中的低噪声放大器（LNA）。
刊期：2018年第01期
近日，由中车时代电气完成的“3600A／4500V压接型IGBT及其关键技术”通过中国电子学会的鉴定，被认定为世界上功率等级最高的压接型IGBT。这一成果实现了国内压接型IGBT技术“从无到有”的跨越，打破了国外大功率压接型IGBT的技术和市场垄断。
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期刊级别：部级期刊
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期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
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发行周期：旬刊
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期刊级别：省级期刊
发行周期：半月刊
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期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
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期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
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发行周期：旬刊
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期刊级别：省级期刊
发行周期：旬刊
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期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊