半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2017年第06期
工信部网站消息,为促进第五代移动通信（5G）创新发展,提升技术研发水平,加速产业成熟,推动融合应用创新,按照5G技术研发试验总体安排,工信部通知,启动5G技术研发试验第三阶段工作。有关事项通知如下：一、明确试验目标率先制定测试方案和测试规范,明确第三阶段测试目标、内容和指标要求。重点面向5G商用前的产品研发、验证和产业协同,开展商用...
刊期：2017年第06期
科技部近日宣布,经专家论证,批准组建北京分子科学等6个国家研究中心。国家研究中心是适应大科学时代基础研究特点的学科交叉型国家科技创新基地,是国家科技创新体系的重要组成部分。新组建的国家研究中心共6家：北京分子科学国家研究中心（依托北京大学和中科院化学研究所组建）;武汉光电国家研究中心（依托华中科技大学组建）;北京凝聚态物理...
刊期：2017年第06期
观点来源：美国Qorvo公司国防和航空航天部总经理Roger Hallo主题：共同探讨氮化镓技术对军用雷达、电子战和通信应用中减少尺寸、重量和功率（SWaP）等需求的影响,汽车雷达创新如何影响军事设计等。1.从今年夏季的国际微波研讨会和欧洲微波周中,您看到了什么趋势？有什么想说的吗？碳化硅基氮化镓很明显是重点,影响着商业和国防应用领域。国防...
刊期：2017年第06期
近日,美国乔治亚理工大学研制出新的制造技术,可将在蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）气体传感器转移到金属或柔性聚合物支撑材料上,大幅降低制造成本,满足从可穿戴设备到车辆引擎的多种应用。使用新工艺制造的传感器能够以十亿分之一的水平检测出氨气,以及区分多种含氮气体。技术核心在该工艺中,研究人员在约1300摄氏度的高温下,使用金属有机气...
刊期：2017年第06期
美国空军研究实验室（AFRL）宣布已经发现一种新的生长和转移氮化镓（GaN）方法,为未来第五代、高速、灵活的通信系统奠定了基础。AFRL材料和制造部的科学家Nicholas Glavin说：＂我们展示了在柔性衬底上生长和放置材料的能力,从而为可穿戴设备或电子设备的供电提供了潜在可能。我们是有史以来第一个展示出基于氮化镓的柔性RF（射频）晶体管器件...
刊期：2017年第06期
在12月召开的电气电子工程师协会的国际电子器件会议（IEDM）,来自美国麻省理工学院（MIT）、英国晶圆和衬底制造商IQE、美国哥伦比亚大学、美国IBM公司、新加坡-MIT研究和技术联盟的研究人员展现了新的氮化镓（GaN）器件设计,使器件的工作电压可达到1200V,远超过现有商用GaN器件的600V上限。核心原理论文的高级作者、MIT电子工程和计算科学教授...
刊期：2017年第06期
凭借600V CoolMOS~（TM） CFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600V CoolMOS~（TM） CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和电动汽车充电站等高功率SMPS应用。该600V CoolMO...
刊期：2017年第06期
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展（CES2018）展示eGaN技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用—分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统,可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电,可传送高达300 ...
刊期：2017年第06期
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次的MOSFET采用6mm×5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻...
刊期：2017年第06期
日前,第五届中国移动合作伙伴大会在广州召开,从会上了解到,5G商用的步伐日益临近,随着政策支持与企业的境外布局,我国5G产业建设已走在世界前列,有望成为全球5G领跑者,国内部分5G研发企业已跻身全球第一梯队。11月24日,在2017中国移动全球合作伙伴大会上,5G研发应用的最新成果亮相。在5G基础通信方面,中国移动展示了全球首个基于国际统一标准的...
刊期：2017年第06期
电子网消息,移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo日前了业界首个Sub-6 GHz 5G射频前端模块QM19000,高度集成的高性能QM19000可实现高线性度、超低延迟和极高吞吐量,以满足或超越未来5G应用的开发需求。在近日于广州举行的2017中国移动全球合作上,Qorvo展示了基于该模块的5G终端原型产品。5G时代将是万物互连的...
刊期：2017年第06期
在乌镇举办的世界互联网大会上,华为消费者业务CEO余承东透露,华为将在2019年下半年推出商用的5G智能手机。余承东同时表示,过去20多年是移动通讯高速发展的时代,1993年大哥大出现,移动终端的连接方便了生活,智能手机的发展则给人们的生活带来了非常大的变化。于辰东认为,移动通讯每十年就是一个巨大的飞跃,苹果手机发展至今正好十年,进入新时代...
刊期：2017年第06期
10月17日消息,今天高通在香港羁绊新品会,除了推出全新的骁龙636处理器外,高通还了全球首款5G基带芯片X50。据高通介绍,此次5G数据连接演示在位于圣迭戈的QualcommTechnologies实验室中进行。通过利用数个100MHz5G载波实现了千兆级下载速率,并且在28GHz毫米波频段上演示了数据连接。官方表示,5G基带、射频、网络还需要1~2年的调试时间,预计搭载...
刊期：2017年第06期
近日,中车时代电气半导体与客户合作再度升级,将有5万只汽车IGBT模块装车运行。此次深化产业合作,将全面推动我国汽车IGBT产品的提升。IGBT作为新能源汽车电驱动系统的核心功率器件,其性能直接影响电动汽车整车运行性能。由于汽车运行工况复杂,可靠性要求严苛,且IGBT技术门槛高,曾长期被德国、日本等国家所垄断,这对国产汽车IGBT提出了巨大的挑...
刊期：2017年第06期
全球最大半导体代工企业台湾集成电路制造联合首席执行官（CEO）刘德音12月7日表示,将向电路线宽为3纳米的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资,领先于韩国三星电子等竞争对手。刘德音7日下午在台湾北部新竹发表演讲时透露了上述消息。目前美国苹果新款iPhone等配备的10纳米线宽半导体属于最尖端产品。7纳米产品将于2018年启...
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