半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期：2017年第03期
近日，工信部了《公开征求对第五代国际移动通信系统（IMT-2020）使用3300-3600MHz和4800-5000MHz频段的意见》。拟在3300-3600MHz和4800-5000MHz两个频段上部署5G。
刊期：2017年第03期
据从上海市临港地区开发建设管理委员会获悉，日前，上海市集成电路产业发展领导小组批复由管委会牵头组建上海集成电路装备材料基金，基金总规模不低于100亿元，并由市经信委积极协调市级资金参与基金出资。
刊期：2017年第03期
空中和地面的无人或有人平台，对尺寸、重量和功率（SWAP）的更高要求推动了功率电子领域的创新。现代军事雷达、武器系统、航空电子、无人飞行器载荷、导弹控制等的信号处理功率产生大量热量。因此，功率电子器件运行效率越高，（现在的标准是90％），上述系统或平台需要散发的热量就越少，系统集成商在每次升级时就能更多地在相同面积上集成更...
刊期：2017年第03期
2017年5月31日，由欧盟支持、英飞凌领导、欧洲26家单位共同参与的eRamp项目结束。在为期3年的研究中，研究团队聚焦于更节能的封装技术等新制造技术，实现了创新性、更具能效的电子器件，研究结果在半导体生产环境中进行了实际制造能力检验，成为欧盟300毫米晶圆功率电子发展史上的又一里程碑。
刊期：2017年第03期
中国电科（CETC）第五十五研究所（NEDI）4月12日报道，该所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEEElectronDeviceLettersLk的论文《High-LinearityA1GaN／GaNFinFETsforMicrowavePowerApplica—tions》即《三维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《SemiconductorToday〉〉进行专栏报道，受到国内外业界关注...
刊期：2017年第03期
新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业发展迅猛。作为这些产业的“心脏”和“发动机”——用于能源产生、传输、使用的芯片更是市场追逐的宠儿。在南京市江宁区，依托中国电子科技集团公司第55研究所建设的宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室，利用新一代碳化硅、氮化镓等材料，在不到一毫米厚的芯片上做文章，为奔跑的电子设计性价比最高...
刊期：2017年第03期
全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。
刊期：2017年第03期
化合物半导体相比硅半导体具有高频率、大功率等优异性能，是未来5G通信不可替代的核心技术，将在5G通信中大量使用。
刊期：2017年第03期
现在，手机中射频器件的成本越来越高。手机中的典型的前端射频模块（RFFrontendModule，RFFEM）包括天线调谐器AntennaTuner、天线开关AntennaSwitch、多路器Diplexer、收／发开关T／RSwitch、滤波器（如SAW、BAW、FBAR）、功率放大器PA、低噪声放大器LNA。
刊期：2017年第03期
在近日举行的英特尔5G沟通会上，英特尔院士、设备与通信事业部无线标准首席技术专家吴耕表示，英特尔首款5G射频前端（RFFE）将于2017年下半年进行测试，推出样品。
刊期：2017年第03期
Qorvo，Inc．推出四款适用于5G基站的高性能28GHzRF产品：QPCI000移相器、TGA4030-SMGaAs中等功率放大器／倍增器、TGA2594GaN—on-SiC功率放大器和QPA2628GaAs低噪声放大器。Qorvo的优化架构充分利用该公司经现场检验的碳化硅基氮化镓（GaN—on—SiC）和砷化镓（GaAs）工艺技术，不仅提供领先的性能，还具有小型化的尺寸。
刊期：2017年第03期
英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT...
刊期：2017年第03期
英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容，推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold（G7）系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
刊期：2017年第03期
日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。
刊期：2017年第03期
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。
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