半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位:中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间:1990
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.01
总发文量:1962
总被引量:115
H指数:3
  • 我国将重点培育集成电路等五大战略性新兴产业

    刊期:2016年第02期

    新华社北京3月11日从国家发展改革委获悉,“十三五”时期我国将把战略性新兴产业作为重要任务和大事来抓,要重点培育形成以集成电路为核心的新一代信息技术产业、以基因技术为核心的生物产业以及绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等突破十万亿规模的五大产业。

  • 工信部:2020年启动5G商用

    刊期:2016年第02期

    工信部总工程师张峰近日在国务院新闻办举行的会上透露,我国已于今年年初正式启动了5G研发技术试验,搭建开放的研发试验平台,为我国2020年启动5G商用奠定基础。

  • 重回摩尔定律两大武器:EUV和三五族 成大势所趋

    刊期:2016年第02期

    英特尔在14纳米及10纳米制程推进出现延迟,已影响到处理器推出时程,也让业界及市场质疑:摩尔定律是否已达极限。不过,英特尔仍积极寻求在7纳米时代重回摩尔定律的方法,其中两大武器,分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV),以及开始采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料。

  • 英特尔:摩尔定律仍有意义

    刊期:2016年第02期

    近日,《自然》杂志刊文指出,近期的国际半导体技术路线图,将不再以摩尔定律为中心。这意味着,芯片行业持续了50年的神话或将终结。

  • 英特尔延长14nm工艺周期:tick tock时代终结

    刊期:2016年第02期

    北京时间3月24日,据The Register网站报道,十余年来,英特尔一直通过名为“Tick—Tock”的芯片开发模式捍卫摩尔定律,但如今这种模式要走到头了。

  • 三星半导体挑战英特尔全球芯片霸主地位

    刊期:2016年第02期

    最近,美国芯片大厂英特尔遭遇烦恼,三星半导体在芯片市场的占有率距离英特尔只有3.29/6,台积电受惠于采用A9处理器的苹果新手机iPhone SE预购比预期好,使得16纳米制程的产能供不应求,在美国的市值再创新高,3月31日股价来到近期的波段高点162元,在美国的市值已达1372.2亿美元。

  • 新一代功率半导体:AIGaN比GaN更出色

    刊期:2016年第02期

    在新一代功率半导体方面,A1GaN比GaN更出色。这一研究成果是美国桑迪亚国家实验室(Sandia National Laboratories)与美国Avogy公司联名在“APEC2016”上发表的。登台演讲的RobertJ.Kaplar公布了用A1GaN试制的功率元件的特性。

  • 英国专家用半极性GaN生长高效益LED

    刊期:2016年第02期

    英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。

  • Fairchild新一代PowerTrenchMOSFET提供一流性能

    刊期:2016年第02期

    新款100 VMOSFET问世,Fairchild极具开创性的PowerTrench MOS—FET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181IOOV屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。

  • Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用1200VSiC二极管

    刊期:2016年第02期

    Fairchild首个1200V碳化硅(SIC)二极管——FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰(EMI),成为下一代光伏逆变器、工业电机控制器和电焊机的理想选择,所有这些应用都不断面临着提高功率密度和能源效率的要求。

  • Littelfuse新型功率半导体性能优于传统开关二极管

    刊期:2016年第02期

    电路保护领域的全球领导者力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列:MBR系列肖特基势垒整流器(标准肖特基)是基于硅肖特基二极管技术的最新器件;DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度。

  • 美高森美1,000W功率的表面安装单通道瞬态电压抑制二极管

    刊期:2016年第02期

    美高森美公司(Microsemi Corporation)一系列独特的全新专利Pow—ermitelMUPT瞬态电压抑制(transient voltage suppression,TVS)二极管产品。新产品系列迎合飞机电气化、提高可靠性和燃油效率的市场趋势,从而推动了市场对具有更高功能性、更轻重量和更小体积,并带有出色瞬态过电压事件保护功能的TVs解决方案的需求。

  • 科学家用DNA分子造出全球最小二极管

    刊期:2016年第02期

    佐治亚大学和以色列内盖夫本一古里安大学的研究人员利用DNA分子制造出了新型二极管。 这被认为是全球尺寸最小的二极管。研究人员表示,这将促进DNA元件的开发,推动分子电子学的发展。

  • Littelfuse推出首款能够承受1,200V以上电压峰值的离散式晶闸管

    刊期:2016年第02期

    Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了该公司首款能够承受1,200V以上电压峰值的离散式晶闸管器件。LittelfuseTeccor品牌SK225xD/SK255KD/SK625xD/SK655KD系列SCR开关型晶闸管是专门用于处理输入交流电源中的电压峰值和电力浪涌的单向开关。

  • Qorvo第3代RFFlexRF前端模块开始供货

    刊期:2016年第02期

    Qorvo不断扩展的RFFlex解决方案产品组合支持多种主要基带,可实现频段间载波聚合 Qorvo新推出的第3代RFFlexRF前端模块已开始供货,以支持多个智能手机OEM。