半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位:中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间:1990
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.01
总发文量:1962
总被引量:115
H指数:3
  • 工信部:2020年实现集成电路与国际差距缩小

    作者:郑畅 刊期:2015年第06期

  • Vishay新款超小尺寸600V E系列MOSFET实现更好的性能

    作者:郑畅 刊期:2015年第06期

  • ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET,实现更环保、更安全的电源应用

    作者:郑畅 刊期:2015年第06期

  • Diodes推出30V MOSFET,使大容量电容器能够在FPGA电源轨上快速及安全放电

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • 覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • 美高森美推出同级最佳低电容瞬态电压抑制二极管

    作者:郑畅 刊期:2015年第06期

  • Littelfuse推出高功率表面贴装瞬态抑制二极管

    作者:郑畅 刊期:2015年第06期

  • 英飞凌加固型TRENCHSTOP 5 S5 IGBT延长光伏逆变器和不间断电源工作寿命,提高其能源效率

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • 瑞萨电子推出业界领先的低功耗IGBT,可提高空调运行效率

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • EPC最新增强型氮化镓FET,有望实现无线充电

    作者:科信 刊期:2015年第06期

  • 台湾稳懋公司扩展其氮化镓产品组合——新型碳化硅基氮化镓工艺针对4G-5G宏基站应用

    作者:赵佶 刊期:2015年第06期

  • Wolfspeed针对LTE和雷达应用两款新型50V塑料封装氮化镓HEMT

    作者:科信 刊期:2015年第06期

  • IQE公司的碳化硅基氮化镓产品取得突破

    作者:科信 刊期:2015年第06期

  • Raytheon公司氮化镓基雷达研究取得里程碑进展

    作者:科信 刊期:2015年第06期