杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
刊期:2015年第04期
日前,IBM宣布研发成功7nm芯片,而现在,又有研发团队宣称制备成功了有史以来最小的晶体管——只有单个分子大小。
刊期:2015年第04期
在6月24—26号在上海举办的PCIM亚洲论坛上,GaNSystems公司将首次在中国展示其氮化镓高功率晶体管产品系列中的一个新成员。该新款60A氮化镓高功率增加强型器件,型号GS66516T,扩展了公司额定电流8A到250A的功率开关产品系列。
刊期:2015年第04期
韩国科学和技术研究院近期了首款绝缘体上InGaAs晶体管,具有氧化钇埋层。研究者们认为,InGaAs—OI极有可能替代更为复杂的三栅器件。
刊期:2015年第04期
麻省理工学院将旗下的Cambridge Electronics(CEI)公司独立出来,在近期了一条氮化镓晶体管和功率电子电路生产线,据称能有效减少数据中心、电能源车、消费类产品的能源消耗达109/5—20%。
刊期:2015年第04期
QorVo公司一直是射频产业的领军供应商,为移动、基础设施、航空和国防应用领域提供产品,近日了一款新型输入匹配的氮化镓晶体管,新产品采用低成本的塑料封装,以更高的性价比进军商用及军用的雷达和无线电通信系统。
刊期:2015年第04期
全球知名半导体制造商ROHM近日世界首家开发出采用沟槽结构的SiC—MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC—MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
刊期:2015年第04期
Rohm公司近日与Fraunhofer研究所携手,采用Rohm的碳化硅MOSFET和栅驱动装置为瑞士弗里堡的太阳能系统研究中心开发了一款10kW三级不间断电源逆变反相器,目的主要是展示碳化硅器件在应用层面的性能表现。
刊期:2015年第04期
日前,碳化硅(SIC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用SiC材料可使感应加热效率达到999/6的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。
刊期:2015年第04期
Princeton Power Systems是一家致力于为能源管理,微网格运行和电动汽车充电等领域提供科技产品的设计和生产商,近日针对基于碳化硅开关技术平台的商业化应用,最新了首款并网双向整流器。
刊期:2015年第04期
三菱电机近期宣布,日本Odakyu Electric Railway公司的1000辆城市轨道列车安装了一款全碳化硅牵引逆变器,相较采用传统电路的列车,可以减少约40%的能源消耗。
刊期:2015年第04期
飞思卡尔半导体日前推出了全新的宽带射频功率放大器一新款Airfast AF—IC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款产品的运行电压为3.6V或7.5V,主要适用于无线电传输范围的功耗和电池使用寿命的高效性为重要设计要求的应用。
刊期:2015年第04期
Analog Devices,Inc.,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出HMC1127和HMC1126MMIC(单芯片微波集成电路)分布式功率放大器。这些新型功率放大器裸片涵盖2-50GHz的频率范围,
刊期:2015年第04期
加拿大Advantech Wireless公司一直为卫星宽带提供解决方案,近期基于其第二代氮化镓技术,了一款1250WKu波段的SapphireBlu超线性的固态功率放大器、固态功率模块,可为卫星通信传输提供帮助。
刊期:2015年第04期
Fairview Microwave是一家生产微波和射频配件的美国供应商。近日了一个完整产品序列的同轴高可靠性功率放大器,适用于0.5MHz到20GHz宽频条件,并且能在零下55摄氏度到85摄氏度的极端温度条件下运行。
刊期:2015年第04期
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用RF解决方案的领先供应商Qorvo,Inc.日前宣布推出具有业界领先效率、适合小型蜂窝基站应用的全新系列功率放大器(PA)。小型蜂窝解决方案可增加移动网络的容量,是改善网络性能的关键一环。