首页 期刊 半导体信息 跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白 【正文】

跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白

作者:江安庆
nldmos   晶圆生产   集成电路工艺   开关电源   漂移区  

摘要:<正>华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司("华润上华")自主研发的"跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法"专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,达到国际领先水平。目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,累计产出已达24万片,大幅提升了企业营收能力,两年

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