半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>近日,为加快落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,国家集成电路产业发展咨询委员会日前正式成立。该咨询委员会主要负责在《国家集成电路产业发展推进纲要》组织实施过程中,对产业发展的重大问题和政策措施开展调查研究,提出咨询意见和建议等。该咨询委员会由集成电路、网络与信息安全、通信、软件、产业经济、金融等
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>意法半导体(STMicroelectronics)推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一,并始终致力于技术...
作者：郑畅 刊期：2015年第01期
<正>德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD13383F4在采用0.6mm×1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84%的极低电阻。CSD16570Q5B和CSD17...
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等,可帮助客户达到更高的性能/效率标准,例如某些高性能消费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的...
作者：季建平 刊期：2015年第01期
<正>Diodes公司(Diodes Incorporated)推出双向MOSFETDMN2023UCB4,提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗,纤薄的芯片级封装则使设计人员能够利用省下来的空间来提高电池容量。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器,以及对其尺寸、重量和电池寿命都至关重要的同类...
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对MOSFETH桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化电机驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用电机驱动应用的要求30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相风扇应用。DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N通道和双P通道MOSFET集成...
作者：季建平 刊期：2015年第01期
<正>Diodes公司(Diodes Incorporated)为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管,以及30V额定值的P通道器件,产品全都采用了DFN0606微型封装。每个器件的电路板占位面积仅0.6mm×0.6mm,比一般采用DFN1006(SOT883)封装的MOSFET小40%,是下一代可穿戴科技产品、平...
作者：郑畅 刊期：2015年第01期
<正>宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027),可用于需要高频开关的应用,从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。EPC2027器件具备450V额定电压、400mΩ最高导通电阻(...
作者：江安庆 刊期：2015年第01期
<正>华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司("华润上华")自主研发的"跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法"专利技术,近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白,开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术,达到国际领先水平。目前,该项专利已应用于华润上华晶圆生产线,累计产出已达24万片,大幅提升了...
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>为进一步推进SiC功率半导体的应用,丰田汽车公司尝试在混合动力车用于控制电动机驱动力的动力控制单元(以下简称PCU)中使用新材料SiC功率半导体,并将该技术搭载在凯美瑞混动版的试制车上,于2015年2月起在丰田市周边的公路上进行为期1年的道路试验。据了解,控制电动机驱动力的动力控制单元控制混动车行驶时电动机的电流供给,及减速时利...
作者：江安庆 刊期：2015年第01期
<正>2015年2月6日,英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS)以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOP5薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。凭借25℃时典型饱和压降(VC...
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>Littelfuse公司推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA),其旨在为电流密集型应用提供一流的ESD保护,例如快速充电设备或电源USB。SP1255P系列集成了三通道超低电容控向二极管和一个低压瞬态抑制二级管,可按IEC 61000-4-2标准对USB数据和ID针脚提供最大的防静电保护。其动态电阻仅为0.3Ω,相比类似硅解决方案可将箝位...
作者：郑畅 刊期：2015年第01期
<正>美国Pasternack公司推出了全新的超宽带毫米波低噪声放大器产品线,新产品现已备货在库并可在当天发货。此类新型高频低噪声放大器(LNA)具有在全频段范围内典型值为2.5~3dB的极低噪声指数,从而使其极为适用于电子对抗、仪器仪表、光纤通信系统、军事通信、雷达、卫星通信、点对点无线链路、电信及研发等应用中。
作者：郑畅 刊期：2015年第01期
<正>Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度,以及提升整体转换效率。新驱动器作为低功率控制...
作者：赵佶 刊期：2015年第01期
<正>凌力尔特公司(LinearTechnology Corporation)推出高度集成的通用型电源管理解决方案LTC3371,以用于需要多个低压电源的系统。该器件具有四个同步降压型转换器,各由独立的2.25V至5.5V输入供电,而且均可通过配置以共享8个可用1A功率级中的最多4个。利用8种独特的输出电流配置,LTC3371提供了实质的灵活性以及容易重复使用于不同应用中。...
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