半导体信息杂志 部级期刊
Semiconductor Information
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
杂志简介：《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准，自1990年创刊，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>中央和地方高达上千亿集成电路基金出台,半导体成为近期中国信息通讯技术产业最热概念,业界普遍认为行业将迎来"黄金时代"。作为全球电子制造业大国,集成电路一直是中国最大的进口商品之一。面对当前"国际产能饱和,本土产能缺乏"的现状,中国该如何摆脱"缺芯之痛"。华芯投资管理公司总裁路军在日前于上海举行的"第84届中国电子展"期间...
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>日前,有消息称,工信部等部门在加紧研究"十三五"新材料规划,出台时间有望在2015年下半年,石墨烯入选该规划已经基本落定。随着石墨烯产业化的不断推进,国家针对该产业的政策有望再度加码,据有关人士透露,科技部等部门正在研究石墨烯高新技术产业化基地相关工作,首个基地有望落户常州,全国首个石墨烯高新技术产业化基地有望近期获批,这...
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
作者：江安庆 刊期：2014年第06期
<正>全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出75 V器件以扩充Strong IRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护、热插拔及开关电源(SMPS)二次侧同步整流等应用。全新75 V StrongIRFET功率MOSFET系列配备可提升低频率应用...
作者：江安庆 刊期：2014年第06期
<正>国际整流器针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小
作者：江安庆 刊期：2014年第06期
<正>意法半导体最新超结(super-junction)功率MOSFET能满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术,取得了比上一代产品更低的导通电阻(RDS(ON)),以及更低的栅电荷量(QGD)和输入/输
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>如果我们的智慧型手机可以一个礼拜充电一次,那该有多好?一家来自美国加州洛杉矶附近滨海小城Marina del Ray的公司Carbonics所开发的技术,可望能让我们实现以上梦想。Carbonics执行长Kos Galatsis表示,若只是一味地微缩半导体制程,对电子元件的未来发展其实是种阻碍:"半导体元件需要新的材料与设计,才能进一步提升
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>Analog Devices,Inc.近日推出两款面向单载波卫星通信应用的Ka频段器件HMC7053和HMC7054。HMC7053模块上变频器和HMC7054高功率放大器(HPA)输出频率范围为29 GHz至31 GHz,无杂散动态范围性能为-60dBc,同时覆盖商用和军用频段,符合军事环境条件要求。HMC7053全集成式Ka频段模块上变频器可上变频至29 GHz至31GHz,线性输出功率为-30 dBm...
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用3种PowerPAK封装尺寸的新系列VRPower集成式DrMOS功率级解决方案,用以应对高功率和高性能的多相POL应用中的设计挑战。Vishay Siliconix SiC789和SiC788采用MLP66-40L封装和符合Intel4.0 DrMOS标准(6 mm×6 mm)的占位;SiC620和SiC620R采用新型5 mm×5mm的MLP55-31L封装;SiC521采用4...
作者：赵佶 刊期：2014年第06期
<正>凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出3 A微型模块(μModule)降压型稳压器LTM4623,该器件采用超薄1.8 mm扁平LGA封装,占板面积仅为6.25 mm×6.25 mm。加上焊膏后,该封装高度低于2 mm,可满足很多PCIe(高速外设组件互连)、面向嵌入式计算系统AdvancedTCA载波卡的Advanced Mezzanine Card(AMC)等的高度限制。占板面积小和高度...
作者：赵佶 刊期：2014年第06期
<正>凌力尔特推出5 A、42 V输入同步降压型开关稳压器LT8640。该器件采用独特的Silent Switcher架构,整合了扩展频谱调制,即使开关频率超过2MHz时,依然能够将EMI/EMC辐射降低超过25 dB,从而使该器件能够轻松地满足汽车CISPR25 Class 5峰值限制要求。同步整流在开关频率为2 MHz时可提供高达95%的效率。其3.4 V至42 V输入电压范围使该器件...
作者：郑畅 刊期：2014年第06期
<正>Micrel Inc.(麦瑞半导体公司)近日宣布推出MIC2875/MIC2876,这两种2MHz升压转换器能够在仅仅122 mm平方的电路板空间中进行电流最大为2A的电力输出,而且最少只需要三个很小的外部元件便可使用。这些小截面高效的调节器(调节比例最高达95%)非常适合通过单节锂电池来进行元件操作,以
作者：江安庆 刊期：2014年第06期
<正>Diodes推出低压1 MH-z升压型直流-直流转换器PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9 V到4.75 V较低的工作电压输入范围提供1.0 A到3.0
作者：江安庆 刊期：2014年第06期
<正>凌力尔特推出同步降压-升压型DC/DC控制器LT3790,采用单个器件就可提供高达250 W功率。LT3790的4.7 V至60 V输入电压范围使其非常适合多种汽车和工业应用。其输出电压可设定在0 V至60 V,从而非常适合用作电压稳压器或电池/超级电容器充电器。LT3790的内部4开关降压-升压型控制器采用高于、低于或等于输出电压的输入电压工作,使其成为...
作者：季建平 刊期：2014年第06期
<正>Diodes推出双相同步整流降压控制器AP3598A,优化了高性能图形处理器以及中央处理器的核心电源。该器件提供脉冲宽度调制视频识别动态输出电压控制,实现大电流快速响应,从而满足一般输出负载变化大的要求。这款器件采用了引脚数量少的紧凑型U-QFN4040-24封装,包含脉冲宽度调制控制器、一对具有自举二极管的MOSFET驱动器、通道电流平衡...
影响因子：0.32
期刊级别：部级期刊
发行周期：半月刊
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发行周期：半月刊
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