半导体信息

半导体信息杂志 部级期刊

Semiconductor Information

杂志简介:《半导体信息》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:企业指南、国内外半导体技术与器件、市场动态

主管单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所
主办单位:中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所
创刊时间:1990
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:江苏
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.01
总发文量:1962
总被引量:115
H指数:3
  • 政策扶持 我国发展半导体产业迎发展良机

    作者:赵佶 刊期:2014年第05期

    <正>没有支撑产业的发展就不可能建立我国自主的半导体产业,只有半导体支撑产业形成完善的配套体系,才能推动半导体行业高速发展。我国在"十一五"规划中特别提到,要发展我国自己的半导体产业。我国半导体行业国家"十一五"发展目标包括:集成电路产业年均增长率在30%以上,到2010年将实现3000亿元的销售额,约占当时世界集成电路市场份额的8%...

  • 国际半导体进入变革期 挑战与机遇并存

    作者:赵佶 刊期:2014年第05期

    <正>电子电路逐渐细微,芯片制造商在晶体管设计制造方面遇到的困难也越来越大。1965年"摩尔定律"与1975年"丹纳德定律"所构建的"几何尺寸按比例缩小"的时代在进入10纳米后,多年来基于硅的平面器件所形成的技术路线、工艺装备和生产条件,面临重大调整。进入2014年以来,英特尔、台积电在推进基于14 nm/16 nmFinFET工艺时都遇到了比以往更大...

  • 中国集成电路产业发展目标:跻身国际一流

    作者:郑畅 刊期:2014年第05期

    <正>国务院日前印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出,到2015年集成电路产业销售收入超过3500亿元。相比2013年的2508亿元,增长近千亿。并通过成立国家集成电路产业发展领导小组、设立国家产业投资基金等一系列保障措施切实助力产业持续健康发展。集成电路又称芯片,是工业生产的"心脏",其技术水平和发展规模已成为衡

  • 微芯全新2.4GHz 256-QAM射频高功率放大器

    作者:郑畅 刊期:2014年第05期

    <正>全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出最新的2.4GHz 256-QAM射频高功率放大器——SST12CP21,为256-QAM和IEEE 802.11n系统提供极低的EVM与电流消耗。SST12CP21可在5V电压、MCS9HT40MHz的带宽调制下1.75%的动态EVM提供高达23dBm的高线性输出

  • 德州仪器最新100G互阻抗放大器助力光网络系统实现高性能

    作者:郑畅 刊期:2014年第05期

    <正>日前,德州仪器(TI)宣布推出其首款面向100G光学网络市场的互阻抗放大器(TIA)。作为系统的重要组件,ONET2804T能够以几乎可以忽略的串扰及低输入相关噪声(IRN)实现极高的灵敏度,从而可为热拔插收发器带来稳健的通信。这款100G TIA是TI广泛光网络产品系列的最新成员,可在光学线卡、点对点微波回程以及光纤视频等数据传输速率高达28 Gbps...

  • 笙科新款2.4GHz无线射频收发SoC A8106

    作者:郑畅 刊期:2014年第05期

    <正>笙科电子(AMICCOM)于日前2.4 GHz 500 Kbps无线射频收发SoC芯片,命名为A8106,该芯片RF部份是笙科专长的2.4GHz RF射频设计,支持FSK与GFSK调变。A8106并整合高效能的1T Pipeline 8051 MCU,内部16Kbytes Flash与8KB OTP Memory、2Kbytes SRAM,配备UART、I2C与SPI等数字接口,2个Channel的PWM输出,并提供2线式的ICE界面,并可使

  • Vishay其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

    作者:赵佶 刊期:2014年第05期

    <正>2014年10月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET—SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650 V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源(SMPS)里将起到节能的重要作用。

  • 科锐与日本Sanix公司合作SiC MOSFET助力日本光伏产业

    作者:郑畅 刊期:2014年第05期

    <正>科锐宣布C2M系列1200V/80mSiC MOSFET被日本Sanix公司采用,应用在其新型9.9 kW三相太阳能逆变器的设计之中,以用于日本快速增长的太阳能市场商业光伏系统建设。Sanix公司总经理Hiroshi Soga表示:"通过与科锐的合作并采用其SiC技术,Sanix公司能够在竞争激烈的日本太阳能市场争取更多的市场份额,科锐SiC MOSFET是Sanix公司实现高效率与...

  • 麦瑞半导体推出新型85V全桥MOSFET驱动器

    作者:季建平 刊期:2014年第05期

    <正>高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(Micrel,Inc.)近日推出一款85V全桥MOSFET驱动器MIC4606,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。这款元件是麦瑞半导体最初于2013年推出的极其成功的85V MOSFET驱动器系列的成

  • 东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

    作者:季建平 刊期:2014年第05期

    <正>东芝面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低MCU的功耗。9月9日和10日,东芝在日本筑波举办的2014年固态元件与材料(SSDM)

  • 高通推出全新RF360射频前端方案 对应产品下半年问世

    作者:季建平 刊期:2014年第05期

    <正>RF360射频前端方案为首个针对LTE终端的全球射频解决方案,目前已有超过15家OEM开发设计出超过150款产品,其中10款已发表(首款产品为Amazon Fire Phone),而新一代的RF360前端产品则预计2014年下半年推出。新一代的Qualcomm RF360同时提供整合和模组式架构,能应付日益复杂的载波聚合而设,同时可减少产品30%大小。

  • 意法半导体(ST)推出市场上最灵活的高性能宽带射频合成器

    作者:江安庆 刊期:2014年第05期

    <正>2014年9月29日——随着越来越多的无线标准和频带支持越来越多的应用,意法半导体开始支持市场对高性能和高集成度的需求。意法半导体新推出的STW81200射频合成器采用BiCMOS(SiGe)制造技术,单片集成宽带压控振荡器(VCOs,voltage-controlled oscillators)、双架构分数整数锁相环(PLL,phaselocked-loop)内核、低噪稳压器,以及符合各种射...

  • ST推出世界最小的高集成度8通道超声波脉冲发生器

    作者:江安庆 刊期:2014年第05期

    <正>意法半导体推出的STHV800 8通道超声波发生器将会降低超声波影像机的成本和尺寸。意法半导体独有的SOI-BCD6制造工艺可在同一颗芯片上集成低压CMOS逻辑电路、精确模拟电路和稳健的功率级,实现前所未有的集成度。这款单片高压高速脉冲发生器具有8条独立通道,每条通道都集成控制器逻辑

  • DialogiW671同步整流器

    作者:江安庆 刊期:2014年第05期

    <正>2014年9月23日,高集成电源管理、AC/DC、固态照明和蓝牙智能无线技术提供商Dialog半导体有限公司iW671同步整流器,用于为移动设备打造小巧、功率更高的电源适配器。iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管,并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用,所达效率超过88%。同时,强劲有力的小型适配器可...

  • Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

    作者:赵佶 刊期:2014年第05期

    <正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向...